关于可控硅整流电路采取过电压保护的原理

可控硅整流电路采取过电压保护的原理如下：

在可控硅整流电路的沟通输人端、直流输出端及元件上。都接有RC吸收网络或硒堆等过电压保护，因为可控硅的耐受过电压的能力较差。而在沟通侧及直流侧会经常发生一些过电压，如电网操作过电压、雷击过电压、直流侧电感负载电流骤变时感应过电压、熔断器熔断引起过电压和可控硅换向时过电压等，都有能够致使元件损坏或性能下降。所以要采纳过电压保护措施。